晶体管结构与分类 晶体管内部结构特点


本文介绍了晶体管的结构与分类,晶体管由两个PN结构成,分为NPN型和PNP型两类,根据使用材料的不同,晶体管又分为NPN型锗管和NPN型硅管,PNP型锗管和PNP型硅管,并介绍了晶体管内部结构特点。

晶体管结构与分类 晶体管内部结构特点

晶体管由两个PN结构成,分成三层,按照P型和N型排列的顺序不同,可分为NPN型和PNP型两类,结构示意图和电路符号如下图所示。

根据所使用的材料不同,晶体管又可分为NPN型锗管和NPN型硅管,PNP型锗管和PNP型硅管。

晶体管结构与分类 晶体管内部结构特点

由上图可知,两类晶体管都分成基区、发射区、集电区,分别引出的电极称为基极(B)、发射极(E)、集电极(C)。

基区和发射区之间的结称为发射结;基区和集电区之间的结称为集电结。NPN型和PNP型符号的区别是发射极的箭头方向不同。

晶体管内部结构特点:发射区杂质浓度最高,即多子浓度最高,体积较大;基区很薄且杂质浓度极低;集电区体积最大,杂质浓度较发射区低。这是晶体管具有电流放大作用的内部条件。